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2N6520

更新时间： 2024-02-25 14:22:38

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2N6520 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6520 数据手册

PNP SILICON PLANAR

2N6520

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

350 Volt V_CEO

Gain of 15 at I_C=-100mA

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-350

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5

Base Current

-250

°C

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-500

P_tot

680

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

-350

-5

I_C=-100µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

I_C=-1mA, I_B=0*

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=-10µA, I_C=0

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-50

V_CB=-250V, I_E=0

V_EB=-4V, I_C=0

I_EBO

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.3

-0.35

-0.5

-1.0

I_C=-10mA, I_B=-1mA*

I_C=-20mA, I_B=-2mA*

I_C=-30mA, I_B=-3mA*

I_C=-50mA, I_B=-5mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-0.80

-0.85

-0.90

I_C=-10mA, I_B=-1mA*

I_C=-20mA, I_B=-2mA*

I_C=-30mA, I_B=-3mA*

Base-Emitter Turn-On

Voltage

V_BE(on)

h_FE

-2.0

IC=-100mA, V_CE=-10V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=-1mA, V_CE=-10V

I_C=-10mA, V_CE=-10V*

I_C=-30mA, V_CE=-10V*

I_C=-50mA, V_CE=-10V*

I_C=-100mA, V_CE=-10V*

200

Transition Frequency

f_T

MHz

I_C=-10mA, V_CE=-20V,

f=20MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-4

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