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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PBCY-W4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 50 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-PBCY-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 1.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| W010M | CHENG-YI | SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE |
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| W0174RR060-120 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 174A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| W0174SR060-120 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 174A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| W01BA | ETC | SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED |
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| W01BB | ETC | SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED |
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| W01BC | ETC | SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED |
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