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3.0SMCJ100-T3

更新时间： 2024-01-12 16:53:32
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 99K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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3.0SMCJ100-T3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214AB
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.23
其他特性：UL RECOGNIZED最大击穿电压：135.67 V
最小击穿电压：111 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：3000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

3.0SMCJ100-T3 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
3.0SMCJ SERIES  
3000W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
Features  
ꢀ
Glass Passivated Die Construction  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3000W Peak Pulse Power Dissipation  
5.0V – 170V Standoff Voltage  
Uni- and Bi-Directional Versions Available  
Excellent Clamping Capability  
Fast Response Time  
B
D
A
F
Plastic Case Material has UL Flammability  
Classification Rating 94V-O  
C
H
G
E
SMC/DO-214AB  
Min  
Mechanical Data  
Dim  
A
Max  
6.22  
7.11  
ꢀ
Case: SMC/DO-214AB, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
5.59  
ꢀ
B
6.60  
C
2.75  
3.25  
0.305  
8.13  
2.62  
0.203  
1.27  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional  
Marking: Device Code  
Weight: 0.21 grams (approx.)  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6  
D
0.152  
7.75  
E
F
2.00  
G
H
0.051  
0.76  
All Dimensions in mm  
“C” Suffix Designates Bi-directional Devices  
“A” Suffix Designates 5% Tolerance Devices  
No Suffix Designates 10% Tolerance Devices  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
PPPM  
Value  
Unit  
W
Peak Pulse Power Dissipation 10/1000µS Waveform (Note 1, 2) Figure 3  
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1) Figure 4  
3000 Minimum  
See Table 1  
IPPM  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave  
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Note 2, 3)  
IFSM  
200  
A
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
25  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 4 and derated above TA = 25°C per Figure 1.  
2. Mounted on 8.0mm2 (0.013mm thick) copper pad to each terminal.  
3. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.  
3.0SMCJ SERIES  
1 of 6  
© 2006 Won-Top Electronics  
123456

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