2KBP02M-LF

更新时间： 2024-02-02 21:31:24

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WTE		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM, SIP-4

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2KBP02M-LF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.06	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

2KBP02M-LF 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

2KBP005M – 2KBP10M

2.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

KBP

Min

Dim

Max

15.24

11.68

—

14.22

10.67

15.2

4.57

3.60

2.16

0.76

1.52

11.68

12.7

5.08

4.10

2.67

0.86

—

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight: 1.7 grams (approx.)

Mounting Position: Any

12.7

—

3.2 x 45° Typical

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

2KBP 2KBP 2KBP 2KBP 2KBP 2KBP 2KBP

Characteristic

Symbol

Unit

005M

01M

02M

04M

06M

08M

10M

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

400

600

800

1000

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

140

280

2.0

420

560

700

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 50°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage (per element)

@I_F= 2.0A

V^FM

I^RM

1.1

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

500

µA

Rating for Fusing (t<8.3ms)

I²^t

C^j

A²s

Typical Junction Capacitance per element (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 3)

R^ꢀ^JA

T^j,T^STG

K/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +165

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

3. Thermal resistance junction to ambient mounted on PC board with 12mm²copper pad.

2KBP005M – 2KBP10M

1 of 3

12 3

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与2KBP02M-LF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2KBP02M-M4/51	VISHAY	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	获取价格
2KBP04	EIC	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
2KBP04	MCC	2.0 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts	获取价格
2KBP04	VISHAY	Single Phase Rectifier Bridge, 2 A	获取价格
2KBP04	INFINEON	2A single phase rectifier bridge	获取价格
2KBP04	NJSEMI	Diode Rectifier Bridge Single 400V 2A 4-Pin D-44	获取价格

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