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VS-6ESH06-M3/86A

更新时间： 2024-02-18 15:44:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, TO-277A,

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VS-6ESH06-M3/86A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.65其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：TO-277AJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.04 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-6ESH06-M3/86A 数据手册

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VS-6ESH06-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Hyper Fast Rectifier, 6 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyper fast recovery time, reduced Qrr, and soft  
recovery  
• 175 °C maximum operating junction temperature  
• For PFC, CRM/CCM, snubber operation  
• Low forward voltage drop  
K
K
Anode 1  
Anode 2  
1
• Low leakage current  
Cathode  
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
SMPC (TO-277A)  
• Meets JESD 201 class 2 whisker test  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
State of the art hyper fast recovery rectifiers specifically  
designed with optimized performance of forward voltage  
drop and hyper fast recovery time.  
Package  
SMPC (TO-277A)  
IF(AV)  
6 A  
600 V  
VR  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness, and  
reliability characteristics.  
VF at IF  
1.05 V  
33 ns  
trr (typ.)  
TJ max.  
Diode variation  
175 °C  
Single die  
These devices are intended for use in PFC, boost, lighting,  
in the AC/DC section of SMPS, freewheeling and clamp  
diodes.  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce power  
dissipation in the switching element.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Operating junction and storage temperatures  
600  
V
IF(AV)  
TSp = 145 °C  
TJ = 25 °C  
6
90  
A
IFSM  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
600  
-
-
V
IF = 6 A  
-
-
-
-
-
1.30  
1.05  
-
1.80  
1.55  
5
Forward voltage  
VF  
IF = 6 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
Junction capacitance  
IR  
μA  
pF  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
50  
8
300  
-
CT  
Revision: 16-May-17  
Document Number: 94984  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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