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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7390DP-T1-E3
SI7390DP-T1-E3 PDF预览

SI7390DP-T1-E3

更新时间： 2024-02-04 10:09:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体开关晶体管脉冲PC
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching WFET

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SI7390DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1248702.1.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1248702
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=12487023D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1248702
Samacsys PartID：1248702Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/SI7390DP-T1-E3.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SI7390DP-T1-E3.jpgSamacsys Pin Count：11
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PowerPAK SO-8 SingleSamacsys Released Date：2020-03-10 13:45:58
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7390DP-T1-E3 数据手册

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Si7390DP  
Vishay Siliconix  
®
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching WFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Extremely Low Qgd WFET Technology  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
15  
for Low Switching Losses  
Available  
0.0095 @ VGS = 10 V  
0.0135 @ VGS = 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07-mm Profile  
100 % Rg Tested  
RoHS*  
30  
13  
COMPLIANT  
•
APPLICATIONS  
•
High-Side DC/DC Conversion  
PowerPAK SO-8  
- Notebook  
- Server  
S
- Workstation  
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
•
Point-of-Load Conversion  
2
S
3
G
4
D
D
8
D
7
D
6
D
G
5
Bottom View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si7390DP-T1  
Si7390DP-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
20  
V
VGS  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
15  
12  
9
7
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
50  
4.1  
5
1.5  
1.8  
1.1  
TA = 25°C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
T
A = 70°C  
3.2  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
–55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
25  
70  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)a  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
53  
°C/W  
RthJC  
2.1  
3.2  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. See Solder Profile ( http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72214  
S-51773-Rev. C, 31-Oct-05  
www.vishay.com  
1
12345

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