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J105

更新时间： 2024-01-22 02:22:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
N-Channel JFETs

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J105 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.64其他特性：LOW INSERTION LOSS
配置：SINGLE最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：35 pF
JEDEC-95代码：TO-226AAJESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

J105 数据手册

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J105/106/107  
Vishay Siliconix  
N-Channel JFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number  
VGS(off) (V)  
rDS(on) Max (ꢀ ) ID(off) Typ (pA)  
tON Typ (ns)  
J105  
J106  
J107  
–4.5 to –10  
–2 to –6  
3
6
8
10  
10  
10  
14  
14  
14  
–0.5 to –4.5  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low On-Resistance: J105 < 3  
D Fast Switching—tON: 14 ns  
D Low Leakage: 10 pA  
ꢀ
D Low Error Voltage  
D Analog Switches  
D Choppers  
D High-Speed Analog Circuit Performance  
D Negligible “Off-Error,” Excellent Accuracy  
D Good Frequency Response  
D Sample-and-Hold  
D Normally “On” Switches  
D Current Limiters  
D Low Capacitance: 20 pF  
D Low Insertion Loss  
D Eliminates Additional Buffering  
DESCRIPTION  
The J105/106/107 are high-performance JFET analog  
switches designed to offer low on-resistance and fast  
switching. rDS(on) <3 ꢀ is guaranteed for the J105 making this  
device the lowest of any commercially available JFET.  
The low cost TO-226AA (TO-92) plastic package is available  
in a wide range of tape-and-reel options (see Packaging  
Information). For similar products in TO-206AC (TO-52)  
packaging, see the U290/291 data sheet.  
TO-226AA  
(TO-92)  
1
2
3
D
S
G
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
a
Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25 V  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C  
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW  
Notes  
a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C  
Document Number: 70230  
S-04028—Rev. D, 04-Jun-01  
www.vishay.com  
7-1  
12345

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