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72425

更新时间： 2024-02-14 17:57:02

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威世 - VISHAY		端子和端子排
页数	文件大小	规格书
3页	181K
描述
N-Channel 150-V (D-S) 175∑C MOSFET

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72425 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8504.50.80.00
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
构造：	Shielded Construction	直流电阻：	0.35 Ω
标称电感 (L)：	500 µH	电感器应用：	POWER INDUCTOR
电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR	JESD-609代码：	e0
引线长度：	31.7 mm	功能数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	130 °C
封装直径：	12.7 mm	封装长度：	15.2 mm
封装形式：	Axial	包装方法：	TR
最小质量因数（标称电感时）：	25	最大额定电流：	1.41 A
自谐振频率：	1.2 MHz	形状/尺寸说明：	TUBULAR PACKAGE
屏蔽：	YES	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子位置：	AXIAL
端子形状：	WIRE	测试频率：	0.1 MHz
Base Number Matches：	1

72425 数据手册

SPICE Device Model SUP80N15-20L

Vishay Siliconix

N-Channel 150-V (D-S) 175°C MOSFET

CHARACTERISTICS

• N- and P-Channel Vertical DMOS

• Macro Model (Subcircuit Model)

• Level 3 MOS

• Apply for both Linear and Switching Application

• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range

• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery

Characteristics

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical

characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit

model is extracted and optimized over the −55 to 125°C

temperature ranges under the pulsed 0 to 10V gate drive. The

saturated output impedance is best fit at the gate bias near the

threshold voltage.

A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to

model the gate charge characteristics while avoiding convergence

difficulties of the switched C_gdmodel. All model parameter values

are optimized to provide a best fit to the measured electrical data

and are not intended as an exact physical interpretation of the

device.

SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC

This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate

data sheet of the same number for guaranteed specification limits.

Document Number: 72425

12-Jun-04

www.vishay.com

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