2N7000

更新时间： 2024-02-19 08:17:28

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
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描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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2N7000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000 数据手册

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

Part Number V_(BR)DSSMin (V) r_DS(on)Max (W)

V_GS(th)(V)

I_D(A)

5 @ V = 10 V

0.8 to 3

1 to 2.5

0.2

2N7000

2N7002

VQ1000J

VQ1000P

BS170

7.5 @ V = 10 V

0.115

0.225

0.5

5.5 @ V = 10 V

0.8 to 2.5

0.8 to 3

5.5 @ V = 10 V

5 @ V = 10 V

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Low On-Resistance: 2.5 W

D Low Threshold: 2.1 V

D Low Offset Voltage

D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS

D Low-Voltage Operation

D Easily Driven Without Buffer

D High-Speed Circuits

D Low Error Voltage

D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,

Displays, Memories, Transistors, etc.

D Low Input Capacitance: 22 pF

D Fast Switching Speed: 7 ns

D Low Input and Output Leakage

D Battery Operated Systems

D Solid-State Relays

TO-226AA

(TO-92)

TO-236

(SOT-23)

Top View

Marking Code: 72wll

Top View

2N7000

72 = Part Number Code for 2N7002

w = Week Code

ll = Lot Traceability

Dual-In-Line

TO-92-18RM

(TO-18 Lead Form)

Top View

BS170

Plastic: VQ1000J

Sidebraze: VQ1000P

Document Number: 70226

S-04279—Rev. F, 16-Jul-01

www.vishay.com

11-1

12 3 4 5

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