2N2955

更新时间： 2024-02-29 04:27:27

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SILICON PNP TRANSISTOR

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2N2955 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	最大集电极电流 (IC)：	15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	115 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz
Base Number Matches：	1

2N2955 数据手册

UTC2N2955

SILICON PNP TRANSISTOR

SILICON PNP TRANSISTORS

The UTC 2N2955 is a silicon PNP transistor in TO-3

metal case. It is intended for power switching circuits,

series and shunt regulators, output stages and high fidelity

amplifiers.

TO-3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )

PARAMETERS

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VCEV

VALUE

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

Collector Peak Current(1)

Base Current

ICM

Base Peak Current(1)

Total Dissipation at Ta=25°C

Storage Temperature

IBM

Ptot

TSTG

115

-65 to 200

200

°C

Max. Operating Junction Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Sustaining

Voltage

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

VCEO(sus)

Ic=200mA, IB=0V

Collector-Emitter Sustaining Voltage VCER(sus)

Ic=0.2 A, RBE=100 Ohms

VCE=30V,IB=0

VCE=100V,VBE(off)=1.5V.

VCE=100V,VBE(off)=1.5V,

Ta=150°C

Collector Cut-off Current

ICEO

ICEX

0.7

1.0

5.0

Emitter Cut-off Current

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain(note)

IEBO

hFE

VBE=7V,IC=0

5.0

Ic=4A,VCE=4V,

Ic=10A,VCE=4V

Ic=4A,IB=400mA

Ic=10A,IB=3.3A

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

1.1

3.0

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R205-004,A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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