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22N65G-T47-T

更新时间: 2024-02-20 18:57:04
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5页 186K
描述
HEXFET POWER MOSFET

22N65G-T47-T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-247包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):380 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏极电流 (Abs) (ID):22 A
最大漏极电流 (ID):22 A最大漏源导通电阻:0.35 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):370 W最大脉冲漏极电流 (IDM):88 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

22N65G-T47-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
22N65  
Preliminary  
Power MOSFET  
HEXFET POWER MOSFET  
„
DESCRIPTION  
As the SMPS MOSFET, the UTC 22N65 uses UTC’s advanced  
technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and  
operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a  
load switch or in PWM applications.  
1
TO-247  
„
FEATURES  
* RDS(ON) = 350  
* Ultra low gate charge ( Typical 150 nC )  
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 36 pF )  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
* Improved dv/dt capability, high ruggedness  
„
SYMBOL  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
TO-247  
Packing  
Tube  
Lead Free Plating  
22N65L-T47-T  
Halogen Free  
22N65G-T47-T  
1
2
3
G
D
S
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 8  
QW-R502-466.a  

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