是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-247 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 360 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 45 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
18N-60M | APITECH | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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18N60-T47-T | UTC | POLARHV HIPERFET POWER MOSFET |
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18N65 | UTC | 18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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18N65G-T3P-T | UTC | 18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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18N65G-T47-T | UTC | 18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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18N65G-TC3-T | UTC | 18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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