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12P10G-TQ2-R

更新时间： 2024-01-22 02:23:27

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6页	265K
描述
9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET

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12P10G-TQ2-R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.4 A	最大漏极电流 (ID)：	9.4 A
最大漏源导通电阻：	0.29 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

12P10G-TQ2-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

12P10

Power MOSFET

9.4A, 100V P-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS

technology to provide excellent R_DS(ON), low gate charge and

operation with low gate voltages. This device is suitable to be

used in low voltage applications such as audio amplifier, high

efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

FEATURES

* R_DS(ON)= 0.29Ω @V_GS= -10 V

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

12P10L-TM3-T

12P10L-TN3-R

12P10L-TQ2-R

12P10L-TQ2-T

12P10G-TM3-T

12P10G-TN3-R

12P10G-TQ2-R

12P10G-TQ2-T

TO-251

TO-252

TO-263

Tube

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-262.B

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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