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12P10-TN3-R

更新时间: 2024-02-13 16:45:18
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 256K
描述
100V P-CHANNEL MOSFET

12P10-TN3-R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.61Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):370 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):9.4 A最大漏源导通电阻:0.29 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):37.6 A
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

12P10-TN3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
12P10  
Preliminary  
Power MOSFET  
100V P-CHANNEL MOSFET  
„
DESCRIPTION  
The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS  
technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and  
operation with low gate voltages. This device is suitable to be  
used in low voltage applications such as audio amplifier, high  
efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.  
„
FEATURES  
* RDS(ON) = 0.29@VGS = -10 V  
* Low capacitance  
* Low gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
„
SYMBOL  
Lead-free:  
12P10L  
Halogen-free: 12P10G  
2.Drain  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Normal  
Lead Free  
Halogen Free  
12P10G-TN3-R  
12P10G-TN3-T  
1
2
D
D
3
S
S
12P10-TN3-R  
12P10-TN3-T  
12P10L-TN3-R  
12P10L-TN3-T  
TO-252  
TO-252  
G
G
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
1 of 6  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-262.a  

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