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TPCA8102

更新时间： 2024-02-21 16:35:13
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 182K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPCA8102 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：208 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCA8102 数据手册

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TPCA8102  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ)  
TPCA8102  
Lithium Ion Battery Applications  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
0.4±0.1  
1.27  
0.05  
M A  
Portable Equipment Applications  
5
8
0.15±0.05  
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance: R = 4.5mΩ (typ.)  
DS (ON)  
4
0.595  
A
1
High forward transfer admittance: |Y | = 60S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= −10 µA (max) (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
5.0±0.2  
Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
th DS  
D
0.05  
S
S
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
1
4
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
4.25±0.2  
V
−30  
−30  
±20  
− 40  
−120  
45  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
8
5
0.8±0.1  
GS  
1,2,3：SOURCE  
4：GATE  
5,6,7,8：DRAIN  
V
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
JEDEC  
JEITA  
―
―
Pulsed (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(Tc=25℃)  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
W
W
D
D
TOSHIBA  
2-5Q1A  
P
2.8  
1.6  
Weight: 0.076 g (typ.)  
Drain power dissipation  
P
W
D
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
Circuit Configuration  
E
208  
− 40  
4.5  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
8
7
6
5
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
AR  
(Tc=25℃) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
1
2
3
4
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3), (Note 4), please refer to the next  
page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2003-08-29  
1234

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