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TIM5964-45SL

更新时间: 2024-01-25 20:29:42
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管微波放大器局域网
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5页 169K
描述
MICROWAVE POWR GaAs FET

TIM5964-45SL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:5.05Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (Abs) (ID):31 A
最大漏极电流 (ID):20 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:C BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:125 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

TIM5964-45SL 数据手册

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