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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 10 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 77 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.7 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.23 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TC55VL818FF-83 | TOSHIBA | IC 512K X 18 STANDARD SRAM, 9 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLAS |
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| TC55VL818FFI-75 | TOSHIBA | IC 512K X 18 STANDARD SRAM, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PTICH, PLASTIC, L |
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| TC55VL818FFI-83 | TOSHIBA | IC 512K X 18 STANDARD SRAM, 9 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLAS |
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| TC55VL836FF-100 | TOSHIBA | IC 256K X 36 STANDARD SRAM, 7.5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PL |
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| TC55VL836FF-75 | TOSHIBA | IC 256K X 36 STANDARD SRAM, 10 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLA |
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| TC55VL836FF-75,-83 | TOSHIBA | TC55VL836FF-75,-83 |
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