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Datasheet > 晶体管 > IGBT> MIG20J901H

MIG20J901H PDF预览

MIG20J901H

更新时间： 2024-02-18 13:47:42

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
11页	953K
描述
INTEGRATED GTR MODULE

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MIG20J901H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D12
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	3PHASE DIODE RECTIFIER, BRAKE AND INVERTER AVAILABLE IN A MODULE
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-PUFM-D12
元件数量：	7	端子数量：	12
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MIG20J901H 数据手册

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