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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> MG15D4HM1

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MG15D4HM1

更新时间： 2024-02-04 23:53:20

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	325K
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MG15D4HM1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D11
针数：	11	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	配置：	COMPLEX
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-D11	元件数量：	4
端子数量：	11	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MG15D4HM1 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MG15D6EM1	TOSHIBA	TECHNICAL DATA	获取价格
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MG15G1AM1	TOSHIBA	TRANSISTOR 15 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-22B1B, 3 PIN, FET General	获取价格
MG15G2YK1	ETC	TRANSISTOR MODULES	获取价格
MG15G2YL1	ETC	TRANSISTOR MODULES	获取价格
MG15G4GL1	TOSHIBA	TRANSISTOR 15 A, 450 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-48A1A, 11 PIN, BIP General	获取价格

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