2SK3564

更新时间： 2024-02-06 22:03:12

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS4)

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2SK3564 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-67
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	408 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	4.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3564 数据手册

TENTATIVE

2SK3564

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIV)

2SK3564

unit：ｍｍ

Switching Regulator Applications

10±0.3

2.7±0.2

φ3.2±0.2

•

Low drain-source ON resistance: R = 3.7Ω (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 2.6 S (typ.)

Low leakage current: I

= 100 μA (V

= 720 V)

DSS

Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

1.1

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

0.69±0.15

2.54±0.25

Drain-source voltage

900

±30

DSS

DGR

GSS

2.54±0.25

Drain-gate voltage (R

= 20 kΩ)

Gate-source voltage

1 2 3

(Note 1)

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

(Note 1)

1. Gate

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

2. Drain

3. Source

Single pulse avalanche energy

TBD

(Note 2)

Avalanche current

4.0

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

JEDEC

―

150

Storage temperature range

-55~150

stg

JEITA

TOSHIBA

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

3.125

62.5

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: V = 90 V, T = 25°C, L = TBD mH, I = 3.0 A, R = 25 Ω

DD ch

Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2003-02-14

12 3

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