5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-67 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 157 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ517 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
获取价格 |
|
| 2SJ517 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
| 2SJ517TR | HITACHI | Small Signal Field-Effect Transistor, UPAK-3 |
获取价格 |
|
| 2SJ517YY | HITACHI | 2A, 20V, 0.43ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
| 2SJ517YYTL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
| 2SJ517YYTL-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
常用8脚开关电源芯片型号大全
74HC04芯片引脚图及功能、应用电路图讲解
CR6842芯片参数、引脚配置、应用电路图详解
国产PoE供电芯片选型替代指南，你想要的都在这里！
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
