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2SJ412

更新时间: 2024-01-09 04:31:43
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东芝 - TOSHIBA 晶体驱动器转换器开关继电器晶体管功率场效应晶体管脉冲电机DC-DC转换器
页数 文件大小 规格书
5页 293K
描述
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

2SJ412 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):292 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.32 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):64 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ412 数据手册

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