2SJ380

更新时间： 2024-01-16 04:10:50

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东芝 - TOSHIBA		晶体驱动器转换器开关继电器晶体管功率场效应晶体管脉冲电机 DC-DC转换器 PC 局域网
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5页	284K
描述
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

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2SJ380 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/1005682.2.1.png	Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1005682
PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1005682	3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1005682
Samacsys PartID：	1005682	Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/2SJ380.jpg
Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/2SJ380.jpg	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	TO-220NIS	Samacsys Released Date：	2018-02-13 14:44:38
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	312 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ380 数据手册

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