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2SC3419-Y

更新时间： 2024-01-11 20:50:41

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东芝 - TOSHIBA		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	142K
描述
TRANSISTOR 0.8 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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技术参数
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2SC3419-Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.8 V	Base Number Matches：	1

2SC3419-Y 数据手册

2SC3419

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

2SC3419

Medium-Power Amplifier Applications.

Unit: mm

•

Low saturation voltage: V

= 0.25 V (typ.)

CE (sat)

(I = 500 mA, I = 50 mA)

•

High collector power dissipation: P = 1.2 W (Ta = 25°C)

Complementary to 2SA1356

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

800

Base current

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.2

Collector power

dissipation

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-8H1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 0.82 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2006-11-09

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