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01BZA8.2

更新时间: 2024-01-15 19:50:07
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东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
DIODES (DIODES FOR PROTECTING AGAINST ESD)

01BZA8.2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.84配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
最大电压容差:6.1%工作测试电流:5 mA

01BZA8.2 数据手册

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