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015AZ9.1Y

更新时间: 2024-01-23 08:30:40
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东芝 - TOSHIBA 二极管
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5页 234K
描述
Diode Silicon Epitaxial Planar Type

015AZ9.1Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.58配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:18 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-F2
膝阻抗最大值:120 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.35 V
最大反向电流:0.5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2.5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

015AZ9.1Y 数据手册

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