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015AZ3.0-X

更新时间: 2024-02-07 19:26:04
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东芝 - TOSHIBA 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 166K
描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

015AZ3.0-X 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:End Of Life包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:120 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-F2膝阻抗最大值:1000 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.08 V最大反向电流:50 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2.5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

015AZ3.0-X 数据手册

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015AZ2.0~015AZ12  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
015AZ2.0~015AZ12  
Constant Voltage Regulation Applications  
Unit: mm  
l Small package  
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%  
(2.0V~12V)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Power dissipation  
Symbol  
P*  
Rating  
Unit  
150  
125  
mW  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
-55~125  
°C  
stg  
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,  
Pad dimension of 4 × 4mm.  
JEDEC  
JEITA  
Electrical Characteristics  
TOSHIBA  
Weight: 1.4 mg  
1-1G1A  
(See Page 2~3)  
Marking  
Example 1: 015AZ12-×  
Example 2: 015AZ12-×  
Pin Assignment (top view)  
1
2001-10-30  

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