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015AZ12Z

更新时间: 2024-01-05 17:05:49
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东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 234K
描述
Diode Silicon Epitaxial Planar Type

015AZ12Z 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-F2膝阻抗最大值:110 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:12.33 V最大反向电流:0.5 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2.5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

015AZ12Z 数据手册

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