是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | CERAMIC, DIP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.15 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.09 µA | 标称共模抑制比: | 131 dB |
频率补偿: | YES (AVCL>=5) | 最大输入失调电压: | 200 µV |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T8 | 长度: | 9.58 mm |
低-失调: | YES | 负供电电压上限: | -19 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | +-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小摆率: | 4.4 V/us |
标称压摆率: | 7.5 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 5.6 mA | 供电电压上限: | 19 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 50000 kHz | 最小电压增益: | 1800000 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9089603Q2A | TI | EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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5962-9089603QPA | TI | EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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5962-9089604QPA | ETC | Voltage-Feedback Operational Amplifier |
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5962-9089604QPX | WEDC | Operational Amplifier, 1 Func, 105uV Offset-Max, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 |
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5962-90899 | ETC | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-9089901MTA | ETC | x8 Flash EEPROM |
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