生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA |
最大直流栅极触发电压: | 0.8 V | 最大维持电流: | 5 mA |
JEDEC-95代码: | TO-5 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
最大漏电流: | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流: | 18 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电流: | 1600 A | 最高工作温度: | 155 °C |
最低工作温度: | -60 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
最大均方根通态电流: | 2.2 A | 断态重复峰值电压: | 30 V |
重复峰值反向电压: | 30 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N356 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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2N3560 | TI | 暂无描述 |
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2N3560 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 2.2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element |
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2N3561 | TI | 2N3561 |
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2N3561 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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2N3562 | NJSEMI | SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V |
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