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| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO63-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3266 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-210AE |
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| 2N3266E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-211MB, Metal, 3 Pin, T |
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| 2N327 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3277 | NJSEMI | SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3278 | NJSEMI | SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N327A | NJSEMI | GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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