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2N3264

更新时间: 2024-01-06 20:48:18
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德州仪器 - TI /
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1页 59K
描述
25A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

2N3264 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.85
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:O-CRDB-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):83 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzBase Number Matches:1

2N3264 数据手册

  

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