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2N2396

更新时间: 2024-01-27 18:21:24
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德州仪器 - TI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
300mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50

2N2396 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.92
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-50
JESD-30 代码:O-CRDB-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.45 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

2N2396 数据手册

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