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2N2387

更新时间: 2024-02-22 21:51:19
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德州仪器 - TI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
30mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50

2N2387 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.03 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-50JESD-30 代码:O-CRDB-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2N2387 数据手册

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