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1N914.TR

更新时间: 2024-01-14 04:17:30
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德州仪器 - TI /
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3页 109K
描述
0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N914.TR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.66Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N914.TR 数据手册

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