5秒后页面跳转
1N756A.TR PDF预览

1N756A.TR

更新时间: 2024-02-29 17:30:17
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
8.2V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N756A.TR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:5 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
最大反向电流:0.1 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:5.084 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N756A.TR 数据手册

  

与1N756A.TR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N756A/TR VISHAY Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W,

获取价格

1N756A_NL FAIRCHILD Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

获取价格

1N756A-1 MICROSEMI SILICON 400 mW ZENER DIODES

获取价格

1N756A-1E3/TR MICROSEMI Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA

获取价格

1N756A-1E3TR MICROSEMI Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA

获取价格

1N756A-A MCC Zener Diode,

获取价格