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1N5725

更新时间: 2024-02-18 22:52:51
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德州仪器 - TI 晶体光电晶体管光电晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 260K
描述
N-P-N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS

1N5725 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:50 V
配置:SINGLE最大暗电源:25 nA
红外线范围:YES标称光电流:7 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-60 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR峰值波长:900 nm
最大功率耗散:0.05 W最长响应时间:0.0000015 s
形状:ROUND子类别:Photo Transistors
表面贴装:NO

1N5725 数据手册

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