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1N5231BT50R

更新时间: 2024-01-02 01:51:13
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德州仪器 - TI 测试二极管
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2页 51K
描述
5.1V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N5231BT50R 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.55
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2膝阻抗最大值:1600 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:5.1 V
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:1.53 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N5231BT50R 数据手册

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