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1N485B

更新时间: 2024-01-19 02:13:49
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
200V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N485B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
最大功率耗散:0.5 W认证状态:COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
Base Number Matches:1

1N485B 数据手册

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