是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | O-PALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | NOT APPLICABLE | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | COMMERCIAL |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N485BBK | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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1N485BBKLEADFREE | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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1N485BDIE | FAIRCHILD | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DIE |
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1N485BR | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, |
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1N485BT50A | TI | 200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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1N485BT50R | TI | 200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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