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1601ADMQB70

更新时间: 2024-01-29 20:20:20
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 553K
描述
IC,SRAM,64KX1,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

1601ADMQB70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP22,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1601ADMQB70 数据手册

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