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1601ADMQB55

更新时间: 2024-01-23 17:35:09
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 553K
描述
IC,SRAM,64KX1,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

1601ADMQB55 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:55 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1湿度敏感等级:2A
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP22,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):250电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30

1601ADMQB55 数据手册

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