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1N5405

更新时间： 2024-02-14 21:37:20

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SYNSEMI		整流二极管
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2页	36K
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SILICON RECTIFIER DIODES

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1N5405 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	500 V
最大反向恢复时间：	2 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5405 数据手册

SILICON RECTIFIER DIODES

DO - 201AD

1N5400 - 1N5408

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 3.0 Amperes

FEATURES :

1.00 (25.4)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.21 (5.33)

MIN.

0.19 (4.83)

0.375 (9.53)

0.285 (7.24)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.052 (1.32)

MIN.

MECHANICAL DATA :

0.048 (1.22)

* Case : DO-201AD Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 0.929 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load

For capacitive load, derate current by 20%

RATING

SYMBOL

UNIT

5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V^RRM

V^RMS

V^DC

100

200

140

200

300

210

300

400

280

400

500

350

500

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75 °C

Peak Forward Surge Current

3.0

I^FSM

200

8.3ms Single half sine wave Superimposed on

rated load (JEDEC Method)

1.0

5.0

Maximum Forward Voltage at I^F= 3.0 Amps.

I^R

μA

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

I^R(H)

C^J

Ta = 100 °C

μA

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

°C/W

°C

RθJA

- 65 to + 175

Storage Temperature Range

T^STG

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

Page 1 of 2

Rev. 03 : March 31, 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5405/100	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N5405/100-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格
1N5405/4F	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N5405/4G	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N5405/4G-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格
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