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X0402ME1AA2 PDF预览

X0402ME1AA2

更新时间： 2024-01-30 07:31:18

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	377K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),4A I(T),TO-202

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X0402ME1AA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
关态电压最小值的临界上升速率：	30 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
最大漏电流：	0.2 mA	通态非重复峰值电流：	33 A
最大通态电压：	2.1 V	最大通态电流：	4000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-45 °C
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

X0402ME1AA2 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
X0402MF	STMICROELECTRONICS	SENSITIVE GATE SCR	获取价格
X0402MF	ISC	Thyristors	获取价格
X0402MF	NJSEMI	Thyristor SCR 600V 33A 3-Pin TO-202	获取价格
X0402MF0AA2	STMICROELECTRONICS	4A SCRS	获取价格
X0402MF-0AA2	STMICROELECTRONICS	4A SCRS	获取价格
X0402MF1AA2	STMICROELECTRONICS	4A SCRS	获取价格

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