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X0205BN

更新时间： 2024-01-24 10:53:38

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅光电二极管栅极
页数	文件大小	规格书
5页	104K
描述
1A, 200V, SCR

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X0205BN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.67
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.05 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	5 mA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.005 mA
通态非重复峰值电流：	25 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	1400 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

X0205BN 数据手册

X02xxxN

SENSITIVE GATE SCR

FEATURES

I_T(RMS)= 1.4A

V_DRM= 200V to 800V

Low I_GT< 200 A

DESCRIPTION

The X02xxxN series of SCRs uses a high

performance TOP GLASS PNPN technology.

These parts are intended for general purpose high

SOT223

(Plastic)

volume

applications using surface mount

technology.

ABSOLUTE RATINGS

Symbol

(limiting values)

Parameter

Value

1.4

Unit

Ttab= 90 C

I_T(RMS)

RMS on-state current

(180 conduction angle)

Ta=75 C

1.0

I_T(AV)

Mean on-state current

Ttab= 90 C

0.9

(180 conduction angle)

Ta=75 C

0.64

I_TSM

Non repetitive surge peak on-state current

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

(T_jinitial = 25 C )

22.5

2.5

I²t

I²t Value for fusing

A²s

A/ s

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

di_G/dt = 0.1 A/ s.

I_G= 10 mA

T_stg

T_j

Storage and operating junction temperature range

- 40, + 150

- 40, + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10s

260

* : With 5cm copper (e=35µm) surface under tab.

Voltage

Symbol

Parameter

Unit

V_DRM

V_RRM

Repetitive peak off-state voltage

200

400

600

800

Ω

T_j= 125 C R_GK= 1K

1/5

May 1998 Ed: 1A

12 3 4 5

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