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X0203BN

更新时间： 2024-01-08 08:44:25

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅光电二极管栅极
页数	文件大小	规格书
5页	57K
描述
1A, 200V, SCR

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技术参数
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X0203BN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.82
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	5 mA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.005 mA
通态非重复峰值电流：	25 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	1400 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

X0203BN 数据手册

X02xxxN

SENSITIVE GATE SCR

FEATURES

I_T(RMS)= 1.4A

V_DRM= 200V to 800V

Low I_GT< 200 µA

DESCRIPTION

The X02xxxN series of SCRs uses a high

performance TOP GLASS PNPN technology.

These parts are intended for general purpose high

SOT223

(Plastic)

volume

applications using surface mount

technology.

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

I_T(RMS)

Parameter

Value

1.4

Unit

RMS on-state current

Ttab= 90°C

Ta=75°C

(180° conductionangle)

1.0

I_T(AV)

Mean on-state current

(180° conductionangle)

Ttab= 90°C

Ta=75°C

0.9

0.64

I_TSM

Non repetitive surge peak on-state current

(T initial = 25°C )

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

22.5

2.5

I²t

I²t Value for fusing

A²s

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

A/µs

I_G= 10 mA

di_G/dt = 0.1 A/µs.

T_stg

T_j

Storage and operating junction temperature range

- 40, + 150

- 40, + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10s

260

* : With 5cm copper (e=35µm) surface under tab.

Voltage

Symbol

Parameter

Unit

Repetitive peak off-state voltage

T_j= 125°C R_GK= 1KΩ

V_DRM

V_RRM

200

400

600

800

1/5

January 1995

12 3 4 5

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与X0203BN相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
X0203DA	STMICROELECTRONICS	1.25A, 400V, SCR, TO-92	获取价格
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X0203DN	STMICROELECTRONICS	1A, 400V, SCR	获取价格
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