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X0202MA1BA2

更新时间： 2024-02-14 13:05:16

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可控硅
页数	文件大小	规格书
6页	150K
描述
1.25A SCRs

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X0202MA1BA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.5 mA
通态非重复峰值电流：	25 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	800 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.25 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

X0202MA1BA2 数据手册

X02 Series

SENSITIVE

1.25A SCRs

MAIN FEATURES:

Symbol

Value

1.25

Unit

T(RMS)

600 and 800

50 to 200

DRM RRM

µA

DESCRIPTION

Thanks to highly sensitive triggering levels, the

X02 SCR series is suitable for all applications

where the available gate current is limited, such as

ground fault circuit interruptors, overvoltage

crowbar protection in low power supplies,

capacitive ignition circuits, ...

TO-92

(X02xxA)

SOT-223

(X02xxN)

Available in though-hole or surface-mount

packages, these devices are optimized in forward

voltage drop and inrush current capabilities, for

reduced power losses and high reliability in harsh

environments.

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

(180° conduction angle)

TO-92

SOT-223

TO-92

TI = 55°C

T(RMS)

1.25

0.8

Ttab = 95°C

TI = 55°C

Average on-state current

(180° conduction angle)

(AV)

SOT-223

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

Ttab = 95°C

Non repetitive surge peak on-state

current

TSM

Tj = 25°C

22.5

tp = 10 ms

F = 60 Hz

tp = 20 µs

Tj = 25°C

2.5

A S

I t

I t Value for fusing

Critical rate of rise of on-state current

dI/dt

Tj = 125°C

A/µs

= 2 x I , tr ≤ 100 ns

Peak gate current

Tj = 125°C

1.2

0.2

Average gate power dissipation

G(AV)

Storage junction temperature range

Operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

stg

°C

September 2000 - Ed: 3

1/6

12 3 4 5 6

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