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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 晶体晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 49K | |
描述 | ||
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.86 |
雪崩能效等级(Eas): | 260 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 70 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
STH8NB90 | STMICROELECTRONICS | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT |
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STH8NB90FI | STMICROELECTRONICS | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT |
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STH-90S-A | HITACHI | Directional Coupler, |
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STH-90S-G | HITACHI | Directional Coupler, |
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STH-90S-L | HITACHI | Directional Coupler, 402MHz Min, 470MHz Max, 0.25dB Insertion Loss-Max, |
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STH-90SM | HITACHI | RF/MICROWAVE DIRECTIONAL COUPLER |
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