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STH8NA60 - STMICROELECTRONICS

晶体晶体管开关脉冲局域网
型号:
STH8NA60
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产品描述:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
应用标签:
晶体晶体管开关脉冲局域网
文档页数/大小:
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品牌Logo:
品牌名称:
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

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STH8NA60

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生命周期
Obsolete
IHS 制造商
STMICROELECTRONICS
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.67
Is Samacsys
N
雪崩能效等级(Eas)
320 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
1 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-218
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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下一页
®
STW8NA60
STH8NA60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STW 8NA60
STH8NA60F I
V
DSS
600 V
600 V
R
DS(on)
<1
<1
I
D
8 A
5 A
s
s
s
s
s
s
s
TYPICAL R
DS(on)
= 0.92
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD
1
2
3
2
1
3
TO-247
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
ISOWATT218
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Valu e
ST W8NA60
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
tot
V
ISO
T
s tg
T
j
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 kΩ)
G ate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Insulation W ithstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Unit
STH8NA60FI
600
600
±
30
V
V
V
5
3.2
32
60
0.48
4000
A
A
A
W
W /
o
C
V
o
o
8
5.1
32
150
1.2
-65 to 150
150
C
C
(•) Pulse width limited by safe operating area
October 1998
1/10

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