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STB16PF06LT4

更新时间： 2024-01-31 17:29:49

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管开关脉冲
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10页	302K
描述
P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET

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技术参数
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STB16PF06LT4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	TO-263, D2PAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.165 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STB16PF06LT4 数据手册

STB16PF06L

P-CHANNEL 60V - 0.11Ω - 16A D2PAK

STripFET™ MOSFET

Table 1: General Features

Figure 1: Package

TYPE

DSS

DS(on)

STB16PF06L

60 V

< 0.125 Ω

16 A

70 W

■ TYPICAL R (on) = 0.11 Ω

■ LOW THRESHOLD DEVICE

■ LOW GATE CHARGE

DESCRIPTION

This MOSFET is the latest development of STMi-

croelectronics unique “Single Feature Size™”

strip-based process. The resulting transistor

shows extremely high packing density for low on-

resistance, rugged avalance characteristics and

less critical alignment steps therefore a remark-

able manufacturing reproducibility.

D PAK

TO-263

Figure 2: Internal Schematic Diagram

APPLICATIONS

■ MOTOR CONTROL

■ DC-DC CONVERTERS

Table 2: Order Codes

PART NUMBER

MARKING

PACKAGE

PACKAGING

STB16PF06LT4

B16PF06L

TAPE & REEL

D PAK

Rev. 1

September 2004

1/10

12 3 4 5 6 7...10

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与STB16PF06LT4相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STB17-0-0	TE	STD and STB Markers	获取价格
STB17-0-1	TE	STD and STB Markers	获取价格
STB17-0-2	TE	STD and STB Markers	获取价格
STB17-0-3	TE	STD and STB Markers	获取价格
STB17-0-4	TE	STD and STB Markers	获取价格
STB17-0-5	TE	STD and STB Markers	获取价格