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P0109BN

更新时间: 2024-01-26 14:15:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 159K
描述
0.8A, 200V, SCR

P0109BN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.64其他特性:SENSITIVE GATE
外壳连接:ANODE标称电路换相断开时间:200 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:25 V/us
最大直流栅极触发电流:0.001 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:5 mAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3最大漏电流:0.001 mA
通态非重复峰值电流:8 A元件数量:1
端子数量:4最大通态电流:500 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:0.8 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P0109BN 数据手册

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